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      PCB抄板元件封裝術語大全(上)

        現在PCB抄板軟件有很多,如PORTEL99,POWERPCB等,但是在PCB抄板繪制元件封裝時,由于我們要抄的PCB板所用的元件封裝不一定和PORTEL99中的元件封裝吻合,所以我們要自己建立元件封裝,即將我們所要繪制的PCB中的元件形狀繪出來,繪制元件封裝時,我們要先統計一下PCB板上用了多少種封裝,每種封裝只需繪好一個,各種封裝都繪好后,就能將其轉到PORTEL99里再作加工了。因此,了解PCB抄板元件封裝術語,成為了專業抄板工程師必不可少的課程,本文專門為PCB抄板工程師解析了相關封裝術語。
        1、BGA(ballgridarray)
        球形觸點陳列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳,在印刷基板的正面裝配LSI芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如,引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方;而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola公司開發的,首先在便攜式電話等設備中被采用,今后在美國有可能在個人計算機中普及。最初,BGA的引腳(凸點)中心距為1.5mm,引腳數為225?,F在也有一些LSI廠家正在開發500引腳的BGA。BGA的問題是回流焊后的外觀檢查?,F在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為,由于焊接的中心距較大,連接可以看作是穩定的,只能通過功能檢查來處理。美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC,而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC和GPAC)。
        2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)
        帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP封裝之一,在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊)以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm,引腳數從84到196左右(見QFP)。
        3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)
        表面貼裝型PGA的別稱(見表面貼裝型PGA)。
        4、C-(ceramic)
        表示陶瓷封裝的記號。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
        5、Cerdip
        用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,用于ECLRAM,DSP(數字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數從8到42。在japon,此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
        6、Cerquad
        表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP好,在自然空冷條件下可容許1.5~2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3~5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規格。引腳數從32到368。
        7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)
        帶引腳的陶瓷芯片載體,表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見QFJ)。
        8、COB(chiponboard)
        板上芯片封裝,是裸芯片貼裝技術之一,半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上,芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,并用樹脂覆蓋以確??煽啃?。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術,但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術。
        9、LGA(landgridarray)
        觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?,F已實用的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,應用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外,由于引線的阻抗小,對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜,成本高,現在基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。
        10、DFP(dualflatpackage)
        雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,現在已基本上不用。
        11、DIC(dualin-lineceramicpackage)
        陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
        12、DIL(dualin-line)
        DIP的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
        13、DIP(dualin-linepackage)
        雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標準邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinnyDIP和slimDIP(窄體型DIP)。但多數情況下并不加區分,只簡單地統稱為DIP。另外,用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip(見cerdip)。
        14、DSO(dualsmallout-lint)
        雙側引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。
        15、DICP(dualtapecarrierpackage)
        雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是TAB(自動帶載焊接)技術,封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI,但多數為定制品。另外,0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發階段。在japon,按照EIAJ(japon電子機械工業)會標準規定,將DICP命名為DTP。
        16、DIP(dualtapecarrierpackage)
        同上。japon電子機械工業會標準對DTCP的命名(見DTCP)。
        17、FP(flatpackage)
        扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。
        18、flip-chip
        倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一,在LSI芯片的電極區制作好金屬凸點,然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數與LSI芯片不同,就會在接合處產生反應,從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片,并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。
        19、FQFP(finepitchquadflatpackage)
        小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。
        20、CPAC(globetoppadarraycarrier)
        美國Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。
        21、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)
        帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP之一,引腳用樹脂保護環掩蔽,以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前,從保護環處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L形狀)。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產。引腳中心距0.5mm,引腳數最多為208左右。
        22、H-(withheatsink)
        表示帶散熱器的標記。例如,HSOP表示帶散熱器的SOP。
        23、pingridarray(surfacemounttype)
        表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝,引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳,其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法,因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm,比插裝型PGA小一半,所以封裝本體可制作得不怎么大,而引腳數比插裝型多(250~528),是大規模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化。
        24、JLCC(J-leadedchipcarrier)
        J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。
        25、LCC(Leadlesschipcarrier)
        無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝,也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。
        26、LOC(leadonchip)
        芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一,引線框架的前端處于芯片上方的一種結構,芯片的中心附近制作有凸焊點,用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比,在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。
        27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
        薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,是japon電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。
        28、L-QUAD
        陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發的一種封裝,在自然空冷條件下可容許W3的功率?,F已開發出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝,并于1993年10月開始投入批量生產。
        29、MCM(multi-chipmodule)
        多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM-L,MCM-C和MCM-D三大類。MCM-L是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低。MCM-C是用厚膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。MCM-D是用薄膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的,但成本也高。
        30、MFP(miniflatpackage)
        小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱(見SOP和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。
        31、MQFP(metricquadflatpackage)
        按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標準對QFP進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm~2.0mm的標準QFP(見QFP)。
        32、MQUAD(metalquad)
        美國Olin公司開發的一種QFP封裝?;迮c封蓋均采用鋁材,用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W~2.8W的功率。japon新光電氣工業公司于1993年獲得特許開始生產。
        33、MSP(minisquarepackage)
        QFI的別稱(見QFI),在開發初期多稱為MSP。QFI是japon電子機械工業會規定的名稱。
        34、OPMAC(overmoldedpadarraycarrier)
        模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱(見BGA)。
        35、P-(plastic)
        表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。
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